[实用新型]功率晶体管装置有效
| 申请号： | 201822039005.1 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN209374454U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种功率晶体管装置包括：基底、多个有源沟槽、多个第一栅极接触结构、N个第二栅极接触结构以及M个第三栅极接触结构。基底定义有有源区与终端区。终端区环绕有源区。有源沟槽配置在基底中。各有源沟槽中分别设置有第一栅极、第二栅极以及绝缘层。绝缘层配置在第一栅极与第二栅极之间。第一栅极接触结构配置在终端区中。N个第二栅极接触结构配置在终端区中。第一栅极接触结构位于第二栅极接触结构与有源区之间。M个第三栅极接触结构配置在有源区，其中N大于M。因此，本实用新型的功率晶体管装置，可在不影响导通电阻(Ron)的情况下，改善功率晶体管装置关断的切换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极接触 功率晶体管装置 终端区 源区 结构配置 基底 本实用新型 绝缘层 绝缘层配置 导通电阻 沟槽配置 关断 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种功率晶体管装置，其特征在于，包括：基底，定义有有源区与终端区，所述终端区环绕所述有源区；多个有源沟槽，配置在所述基底中，且各所述有源沟槽中分别设置有第一栅极、第二栅极以及绝缘层，所述绝缘层配置在所述第一栅极与所述第二栅极之间；多个第一栅极接触结构，配置在所述终端区中；N个第二栅极接触结构，配置在所述终端区中，其中所述第一栅极接触结构位于所述第二栅极接触结构与所述有源区之间；以及M个第三栅极接触结构，配置在所述有源区中，其中N大于M。
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