[实用新型]功率晶体管装置

说明书

本实用新型提供一种功率晶体管装置包括：基底、多个有源沟槽、多个第一栅极接触结构、N个第二栅极接触结构以及M个第三栅极接触结构。基底定义有有源区与终端区。终端区环绕有源区。有源沟槽配置在基底中。各有源沟槽中分别设置有第一栅极、第二栅极以及绝缘层。绝缘层配置在第一栅极与第二栅极之间。第一栅极接触结构配置在终端区中。N个第二栅极接触结构配置在终端区中。第一栅极接触结构位于第二栅极接触结构与有源区之间。M个第三栅极接触结构配置在有源区，其中N大于M。因此，本实用新型的功率晶体管装置，可在不影响导通电阻(R_on)的情况下，改善功率晶体管装置关断的切换效率。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体装置，尤其涉及一种功率晶体管装置。

背景技术

功率晶体管装置是一种广泛使用在模拟电路的半导体装置。由于功率晶体管装置具有低导通电阻与快切换速度，因此，功率晶体管装置可应用在电源切换(Power switch)电路上，使得电源管理技术(power management techniques)更有效率。

随着科技进步，现今功率晶体管装置越来越高频，因此，对于切换速度的要求也越来越高。在此趋势下，提高切换速度以降低功率损耗将成为此领域人员致力研究的课题。

实用新型内容

本实用新型提供一种功率晶体管装置，其可在不影响导通电阻(R_on)的情况下，改善功率晶体管装置关断的切换效率。

本实用新型提供一种功率晶体管装置包括：基底、多个有源沟槽、多个第一栅极接触结构、N个第二栅极接触结构以及M个第三栅极接触结构。基底定义有有源区与终端区。终端区环绕有源区。有源沟槽配置在基底中。各有源沟槽中分别设置有第一栅极、第二栅极以及绝缘层。绝缘层配置在第一栅极与第二栅极之间。第一栅极接触结构配置在终端区中。N个第二栅极接触结构配置在终端区中。第一栅极接触结构位于第二栅极接触结构与有源区之间。M个第三栅极接触结构配置在有源区，其中N大于M

在本实用新型的一实施例中，第二栅极接触结构的面积总合大于第三栅极接触结构的面积总合。

在本实用新型的一实施例中，上述的功率晶体管结构还包括：介电层、第一金属层、第二金属层以及第三金属层。介电层配置在基底上。第一金属层配置在介电层上，且第一栅极接触结构贯穿介电层，以分别电性连接第一金属层与第二栅极。第二金属层配置在介电层上，且第二栅极接触结构贯穿介电层，以分别电性连接第二金属层与第一栅极。第三金属层配置在介电层上，且第三栅极接触结构贯穿介电层，以分别电性连接第三金属层与第一栅极。第一金属层位于第二金属层与第三金属层之间并与第二金属层与第三金属层分离。

在本实用新型的一实施例中，第二栅极接触结构与第二金属层之间的接触面积大于第三栅极接触结构与第三金属层之间的接触面积。

在本实用新型的一实施例中，第二金属层与第三金属层为等电位。

在本实用新型的一实施例中，第三栅极接触结构位于第三金属层的正下方且与第三金属层重叠，第二栅极接触结构位于第二金属层的正下方且与第二金属层重叠。

在本实用新型的一实施例中，第二栅极接触结构彼此连接以形成连续接触结构。

在本实用新型的一实施例中，连续接触结构沿着第一方向延伸，有源沟槽沿着第二方向延伸，第一方向与第二方向彼此垂直。

在本实用新型的一实施例中，有源沟槽与位于终端区的终端沟槽相连，且第一导体层更延伸至终端沟槽中。

在本实用新型的一实施例中，上述的功率晶体管结构还包括第四栅极接触结构位于终端沟槽的正上方，以电性连接第二金属层与第一导体层。