[实用新型]功率晶体管装置有效
| 申请号： | 201822039005.1 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN209374454U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极接触 功率晶体管装置 终端区 源区 结构配置 基底 本实用新型 绝缘层 绝缘层配置 导通电阻 沟槽配置 关断 环绕 | ||
1.一种功率晶体管装置，其特征在于，包括：
基底，定义有有源区与终端区，所述终端区环绕所述有源区；
多个有源沟槽，配置在所述基底中，且各所述有源沟槽中分别设置有第一栅极、第二栅极以及绝缘层，所述绝缘层配置在所述第一栅极与所述第二栅极之间；
多个第一栅极接触结构，配置在所述终端区中；
N个第二栅极接触结构，配置在所述终端区中，其中所述第一栅极接触结构位于所述第二栅极接触结构与所述有源区之间；以及
M个第三栅极接触结构，配置在所述有源区中，其中N大于M。
2.根据权利要求1所述的功率晶体管装置，其特征在于，所述第二栅极接触结构的面积总合大于所述第三栅极接触结构的面积总合。
3.根据权利要求1所述的功率晶体管装置，其特征在于，还包括：
介电层，配置在所述基底上；
第一金属层，配置在所述介电层上，且所述第一栅极接触结构贯穿所述介电层，以分别电性连接所述第一金属层与所述第二栅极；
第二金属层，配置在所述介电层上，且所述第二栅极接触结构贯穿所述介电层，以分别电性连接所述第二金属层与所述第一栅极；以及
第三金属层，配置在所述介电层上，且所述第三栅极接触结构贯穿所述介电层，以分别电性连接所述第三金属层与所述第一栅极，
其中所述第一金属层位于所述第二金属层与所述第三金属层之间并与所述第二金属层与所述第三金属层分离。
4.根据权利要求3所述的功率晶体管装置，其特征在于，所述第二栅极接触结构与所述第二金属层之间的接触面积大于所述第三栅极接触结构与所述第三金属层之间的接触面积。
5.根据权利要求3所述的功率晶体管装置，其特征在于，所述第二金属层与所述第三金属层为等电位。
6.根据权利要求3所述的功率晶体管装置，其特征在于，所述第三栅极接触结构位于所述第三金属层的正下方且与所述第三金属层重叠，所述第二栅极接触结构位于所述第二金属层的正下方且与所述第二金属层重叠。
7.根据权利要求1所述的功率晶体管装置，其特征在于，所述第二栅极接触结构彼此连接以形成连续接触结构。
8.根据权利要求7所述的功率晶体管装置，其特征在于，所述连续接触结构沿着第一方向延伸，所述有源沟槽沿着第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向彼此垂直。
9.根据权利要求3所述的功率晶体管装置，其特征在于，所述有源沟槽与位于所述终端区的终端沟槽相连，且所述第一栅极更延伸至所述终端沟槽中。
10.根据权利要求9所述的功率晶体管装置，其特征在于，还包括第四栅极接触结构位于所述终端沟槽的正上方，以电性连接所述第二金属层与所述第一栅极。
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