[实用新型]一种具有自对准栅电极结构的场效应管有效
| 申请号： | 201821960447.3 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN209312775U | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 周细凤;曾荣周 | 申请（专利权）人： | 湖南工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 宋向红 |
| 地址： | 411101 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有自对准栅电极结构的场效应管，包括衬底，衬底上设有沟道材料层，沟道材料层中部为栅电极区域，栅电极区域两侧为源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域上均沉积有第一金属层，第一金属层上沉积有第二金属层，第二金属层上沉积有第三金属层，栅电极区域上沉积有栅介质层，栅介质层上沉积栅金属以形成栅电极。本实用新型的场效应管中，先形成三层金属堆叠的源漏电极，再选择性地腐蚀第二层金属，形成侧向凹陷的源漏电极，最后形成自对准的栅电极，由于与石墨烯相接触的第一层金属不会被腐蚀，栅极与源漏极间的连接区域的长度不会被改变，因此，源漏电极侧向凹陷的程度不会改变连接电阻的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极 沉积 场效应管 源漏电极 自对准栅电极 本实用新型 第二金属层 第一金属层 沟道材料层 侧向凹陷 漏极区域 源极区域 栅介质层 金属 衬底 腐蚀 连接电阻 连接区域 第一层 金属层 石墨烯 源漏极 栅金属 自对准 堆叠 三层 | ||
【主权项】：
1.一种具有自对准栅电极结构的场效应管，其特征在于：包括衬底，衬底上设有沟道材料层，沟道材料层中部为栅电极区域，栅电极区域两侧分别为源极区域和漏极区域，所述源极区域和漏极区域上均沉积有第一金属层，第一金属层上沉积有第二金属层，第二金属层上沉积有第三金属层，所述栅电极区域上沉积有栅介质层，栅介质层上沉积栅金属以形成栅电极；所述衬底包括基底层和位于基底层上方的绝缘层；所述栅介质层为沉积的铝自氧化后形成的介质；所述第一金属层、第三金属层不被刻蚀剂腐蚀，第二层金属内侧被刻蚀剂腐蚀，从而形成用于自对准的侧向凹陷形状的源漏电极。
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