[实用新型]晶体管及半导体器件有效
| 申请号： | 201821907368.6 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN208923147U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶体管及半导体器件，通过在衬底的源区及漏区之间形成若干沿着垂直于所述源区至所述漏区的方向排列的凹槽，再形成位于所述源区及所述漏区之间的衬底上并填充所述凹槽的栅极结构，在不增加晶体管面积的情况下增加了沟道的宽度(沿着垂直于所述源区至所述漏区方向的尺寸)，在减小晶体管的尺寸的同时可以降低深亚微米效应，并且还增大了晶体管的导通电流，提高了晶体管的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 漏区 源区 半导体器件 衬底 垂直 本实用新型 导通电流 方向排列 开关特性 栅极结构 沟道 减小 填充 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有源区及漏区；若干凹槽，形成于所述衬底中，且若干所述凹槽位于所述源区与所述漏区之间并沿着垂直于所述源区至所述漏区的方向排列；栅极结构，填充在所述凹槽中并延伸至所述衬底的表面上，以使填充在相邻所述凹槽中的栅极部相互连接。
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