[实用新型]一种多晶串高压LED芯片有效
| 申请号： | 201821879640.4 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN209133505U | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多晶串高压LED芯片，包括M个倒装LED芯片和M+1个正装LED芯片，M≧1，第一个正装LED芯片的P电极为封装正极打线区域，第M+1个正装LED芯片的N电极为封装负极打线区域，其中，倒装LED芯片的P电极连接在正装LED芯片的N电极上，倒装LED芯片的N电极连接在正装LED芯片的P电极上，M个倒装LED芯片将M+1个正装LED芯片形成串联连接。本实用新型将倒装LED芯片连接在正装LED芯片的上方，并通过倒装LED芯片来将正装LED芯片形成串联连接，代替了传统的桥接方式，减少了打线，从而节省了打线所需的面积，减小了高压LED芯片的体积。 | ||
| 搜索关键词： | 正装 倒装LED芯片 高压LED芯片 本实用新型 打线区域 打线 多晶 封装 正极 负极 传统的 减小 桥接 | ||
【主权项】：
1.一种多晶串高压LED芯片，其特征在于，包括M个倒装LED芯片和M+1个正装LED芯片，M≧1，第一个正装LED芯片的P电极为封装正极打线区域，第M+1个正装LED芯片的N电极为封装负极打线区域，其中，倒装LED芯片的P电极连接在正装LED芯片的N电极上，倒装LED芯片的N电极连接在正装LED芯片的P电极上，M个倒装LED芯片将M+1个正装LED芯片形成串联连接。
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