[实用新型]应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备有效

专利信息
申请号: 201821879283.1 申请日: 2018-11-15
公开(公告)号: CN209052803U 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 李学洋;董汝昆;普世坤;惠峰;柳廷龙;张朋;钟文;赵燕;滕文 申请(专利权)人: 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
主分类号: C30B29/08 分类号: C30B29/08;C30B13/00
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 代理人: 施建辉
地址: 650000 云南省昆明市高新*** 国省代码: 云南;53
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备,涉及高纯半导体金属材料的提纯。本实用新型包括石英舟、石英管、高频感应加热线圈、支架、丝杆以及区熔小车,石英舟放置在石英管内,石英管固定在支架上方;高频感应加热线圈设置在区熔小车上,且区熔线圈套装在石英管外;丝杠固定在支架底部,且与石英管平行;区熔小车设置在丝杠上,且沿丝杠滑动;石英舟内壁上涂有硅涂层。本实用新型中,所述的水平区熔法生长锗单晶的装置,能减少锗料的污染环节,使其对高纯的提纯效果更加显著。且该系统装置加工工艺简单,结构科学合理,使用安全可靠,能节省一定的人力物力,有益于推进节能环保的发展。
搜索关键词: 石英管 石英舟 水平区 锗单晶 支架 高频感应加热线圈 本实用新型 小车 超高纯 丝杠 生长 高纯半导体 金属材料 节能环保 结构科学 人力物力 设备应用 丝杠固定 提纯效果 污染环节 系统装置 线圈套装 滑动 硅涂层 提纯 高纯 内壁 丝杆 锗料 平行 应用
【主权项】:
1.一种应用于水平区熔法生长超高纯锗单晶的设备,其特征在于该设备包括石英舟(1)、石英管(2)、高频感应加热线圈(3)、支架(4)、丝杆(5)以及区熔小车(6),石英舟(1)放置在石英管(2)内,石英管(2)固定在支架(4)上方;高频感应加热线圈(3)设置在区熔小车(6)上,且区熔线圈套装在石英管(2)外;丝杠固定在支架(4)底部,且与石英管(2)平行;区熔小车(6)设置在丝杠上,且沿丝杠滑动;石英舟(1)内壁上涂有硅涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司,未经云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821879283.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top