[实用新型]发光二极管的半导体芯片有效
| 申请号： | 201821866707.0 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN209709010U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 魏振东;吕奇孟;李俊贤;刘英策 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 33244 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 李高峰;孟湘明<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极提供至少一N型电极延伸触角，所述P型电极提供至少一P型电极延伸触角，所述N型电极延伸触角和所述P型电极延伸触角相互对应，以便于扩展电流，从而使得电流密度更均匀，进而提高所述半导体芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 触角 半导体芯片 延伸 绝缘层 本实用新型 发光二极管 透明导电层 发光效率 依次层叠 衬底 源区 | ||
【主权项】：
1.一发光二极管的半导体芯片，其特征在于，包括：/n一外延单元，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层；/n一透明导电层，其层叠于所述P型半导体层；/n一绝缘层，其层叠于所述透明导电层；以及/n一电极组，其进一步包括：一N型电极，其包括一N型电极焊盘、至少一N型电极扩展条、至少一列N型电极连接针以及至少一N型电极延伸触角，其中所述N型电极焊盘层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，其中所述N型电极扩展条延伸于所述N型电极焊盘和层叠于所述绝缘层，其中每个所述N型电极连接针分别延伸于所述N型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，其中所述N型电极延伸触角延伸于所述N型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层；和/n一P型电极，其包括一P型电极焊盘、至少一P型电极扩展条、至少一列P型电极连接针以及至少一P型电极延伸触角，其中所述P型电极焊盘层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述P型半导体层，其中所述P型电极扩展条延伸于所述P型电极焊盘和层叠于所述绝缘层，其中每个所述P型电极连接针分别延伸于所述P型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，其中所述P型电极延伸触角延伸于所述P型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层。/n
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