[实用新型]一种高压LED芯片有效
| 申请号： | 201821589203.9 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN208781882U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;王兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，位于相邻发光结构之间的切割道，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、以及贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的裸露区域，设于第一半导体层上的第一电极、设于第二半导体层上的第二电极，其中，相邻发光结构上的第一电极和第二电极导电连接形成第三电极，所述第三电极悬空位于切割道的上方。本实用新型的第三电极悬空设置在切割道的上方，可减少贯穿刻蚀所需面积，增大发光面积，减少第三电极对光的吸收，提高芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 第三电极 发光结构 切割道 高压LED芯片 本实用新型 第二电极 第一电极 衬底 源层 出光效率 导电连接 裸露区域 悬空设置 贯穿 刻蚀 发光 悬空 芯片 延伸 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种高压LED芯片，其特征在于，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，位于相邻发光结构之间的切割道，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、以及贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的裸露区域，设于第一半导体层上的第一电极、设于第二半导体层上的第二电极，其中，相邻发光结构上的第一电极和第二电极导电连接形成第三电极，所述第三电极悬空位于切割道的上方，所述第三电极依次包括第一Cr层、Al层、第二Cr层、第一Ti层、第一Pt层、第一Au层、第三Cr层、第二Ti层、第二Pt层和第二Au层。
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