[实用新型]一种垂直结构LED芯片有效
| 申请号： | 201821584630.8 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN208781879U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 郑洪仿;杨振大;黄经发 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，包括第二键合缓冲层、依次设于第二键合缓冲层上的第二键合金属层、设于第二键合金属层上的第一键合金属层、设于第一键合金属层上的第一键合缓冲层、设于第一键合金属层上的金属反射层、设于金属反射层上的第二半导体层、设于第二半导体层上的有源层、设于有源层上的第一半导体层以及设于第一半导体层上的第一电极。本实用新型的垂直结构LED芯片不仅可以消除键合绑定时产生的应力，防止金属溢出，还可以降低芯片的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 键合金属层 半导体层 垂直结构LED芯片 缓冲层 键合 本实用新型 金属反射层 源层 第一电极 消除键 溢出 芯片 金属 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括第二键合缓冲层、依次设于第二键合缓冲层上的第二键合金属层、设于第二键合金属层上的第一键合金属层、设于第一键合金属层上的第一键合缓冲层、设于第一键合金属层上的金属反射层、设于金属反射层上的第二半导体层、设于第二半导体层上的有源层、设于有源层上的第一半导体层以及设于第一半导体层上的第一电极。
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