[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201821515216.1 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN208781829U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体装置，包括接触窗，接触窗由设置在接触窗底部的硅衬底、设置在接触窗两侧的介电层、在接触窗底部且在硅衬底上沉积的硅化金属层及在介电层表面沉积形成的阻挡层构成，在一沉积室中，于硅化金属层表面通入氨气，对硅化金属层表面自然氧化形成的氧化硅层进行还原，然后于硅化金属层表面及介电层表面沉积形成一层阻挡层。本实用新型产品降低了接触窗的接触电阻，大幅度提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 接触窗 硅化金属层 沉积 半导体装置 本实用新型 介电层表面 硅衬底 阻挡层 氨气 表面自然 产品良率 接触电阻 氧化硅层 沉积室 介电层 还原 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括接触窗，所述接触窗由设置在所述接触窗底部的硅衬底、设置在所述接触窗两侧的介电层、在所述接触窗底部且在所述硅衬底上沉积的硅化金属层及在所述介电层表面沉积形成的阻挡层构成，其特征在于，所述接触窗通过以下步骤以达成，在一沉积室中，于所述硅化金属层表面通入氨气，对所述硅化金属层表面自然氧化形成的氧化硅层进行还原，然后于所述硅化金属层表面及所述介电层表面沉积形成一层阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
