[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括接触窗，所述接触窗由设置在所述接触窗底部的硅衬底、设置在所述接触窗两侧的介电层、在所述接触窗底部且在所述硅衬底上沉积的硅化金属层及在所述介电层表面沉积形成的阻挡层构成，其特征在于，所述接触窗通过以下步骤以达成，在一沉积室中，于所述硅化金属层表面通入氨气，对所述硅化金属层表面自然氧化形成的氧化硅层进行还原，然后于所述硅化金属层表面及所述介电层表面沉积形成一层阻挡层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述硅化金属层的材料包括硅化钴、硅化镍及硅化钛中的一种或一种以上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述介电层的材料包括氧化物，所述介电层的厚度介于20纳米～200纳米。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氮化钛，所述阻挡层的沉积厚度介于2纳米～15纳米。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述阻挡层表面沉积一层金属填充物，所述金属填充物填入所述接触窗内。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述金属填充物的材料包含钨。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，研磨所述的金属填充物，在所述接触窗内形成钨金属栓塞，所述钨金属栓塞的高度介于20纳米～200纳米，所述钨金属栓塞的宽度介于15纳米～200纳米。