[实用新型]高压器件与半导体器件有效
| 申请号： | 201821489505.9 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN208655658U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 许文山;孙超;田武 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L27/11529;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高压器件与半导体器件，该高压器件半导体衬底；氧化层；栅极，位于氧化层上；以及源区与漏区，位于半导体衬底中，并分别位于栅极两侧，其中，漏区的掺杂深度由漏区的中心向边缘递减。通过掺杂深度由中心向边缘递减的漏区，减小了漏区边缘的电场，从而提高了器件的耐高电压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 漏区 高压器件 半导体器件 氧化层 衬底 递减 半导体 掺杂 电场 漏区边缘 耐高电压 减小 源区 申请 | ||
【主权项】：
1.一种高压器件，其特征在于，包括：半导体衬底；氧化层；栅极，位于所述氧化层上；以及源区与漏区，位于所述半导体衬底中，并分别位于所述栅极两侧，其中，所述漏区的掺杂深度由所述漏区的中心向边缘递减。
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