[实用新型]一种功率器件的终端结构

摘要

本实用新型公开了一种功率器件的终端结构，涉及半导体技术领域，该功率器件的终端结构在外延层中形成有环区，在环区右侧，也即芯片外侧的表面形成有浅结，使得主结加高压时，其耗尽区将向芯片外侧扩展，当扩展到浅结时，指向表面的电力线会被浅结向芯片外侧扩展，这就分摊了原本集中于芯片表面的电力线，环区相比于常规的场限环耐压能力大幅增强，可以实现在较小的终端面积的情况下达到较高的耐压，从而最大化分压环的作用，减少分压环面积，从而降低芯片面积，提高器件性能，同时，浅结的形成不需要单独的工艺，可与有源区的制作同步工艺完成，大幅降低工艺难度，降低器件成本。

主权项

1.一种功率器件的终端结构，其特征在于，所述终端结构包括：第一导电类型离子的衬底；第一导电类型离子的外延层，所述外延层设置在所述衬底上；第二导电类型离子的环区，所述环区位于所述外延层内；第二导电类型离子的浅结，所述浅结位于所述外延层内，且所述浅结位于所述环区的右侧的表面；氧化层，所述氧化层位于所述外延层的表面且处于所述环区右侧的外部，所述氧化层的左侧与所述环区的右侧间隔预定距离；第二导电类型离子的多晶硅场板，所述多晶硅场板呈阶梯型，所述多晶硅场板部分覆盖所述环区注入窗口并且部分覆盖所述氧化层。