[实用新型]一种高电流传输比的光电耦合器

摘要

本实用新型涉及一种高电流传输比的光电耦合器。它包括壳体，壳体内设有第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架，第三支架的内端设有聚光槽和led晶片，led晶片设于聚光槽内并位于光敏三极管晶片的上方，led晶片通过第二金线与第四支架的内端电性连接。本实用新型光电耦合器在不改变光电耦合器其他性能和不增加生产成本、不更换高精度的生产设备的前提下，改进了支架的结构，本实用新型在LED晶片安装的支架的内端设置聚光凹槽，由于聚光凹槽的聚光性能，因此能有效地增强LED晶片的发光强度，从而提高了光电耦合器的电流传输比，最终使得工厂生产的光电耦合器的电流传输比最大产量范围在450%‑600%。

主权项

1.一种高电流传输比的光电耦合器，包括壳体，所述壳体内设有第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架，所述第一支架的内端设有光敏三极管晶片，所述光敏三极管晶片通过第一金线与第二支架的内端电性连接，所述第一支架的外端和第二支架的外端均朝壳体的左侧伸出，以分别形成第一引脚和第二引脚，所述第三支架的外端和第四支架的外端均朝壳体的右侧伸出，以分别形成第三引脚和第四引脚，其特征是，所述第三支架的内端设有聚光槽和led晶片，所述led晶片设于聚光槽内并位于光敏三极管晶片的上方，所述led晶片通过第二金线与第四支架的内端电性连接。