[实用新型]一种高电流传输比的光电耦合器

权利要求书

1.一种高电流传输比的光电耦合器，包括壳体，所述壳体内设有第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架，所述第一支架的内端设有光敏三极管晶片，所述光敏三极管晶片通过第一金线与第二支架的内端电性连接，所述第一支架的外端和第二支架的外端均朝壳体的左侧伸出，以分别形成第一引脚和第二引脚，所述第三支架的外端和第四支架的外端均朝壳体的右侧伸出，以分别形成第三引脚和第四引脚，其特征是，所述第三支架的内端设有聚光槽和led晶片，所述led晶片设于聚光槽内并位于光敏三极管晶片的上方，所述led晶片通过第二金线与第四支架的内端电性连接。

2.根据权利要求1所述高电流传输比的光电耦合器，其特征是，所述聚光槽内设有透光镜，所述led晶片设于透光镜内。

3.根据权利要求2所述高电流传输比的光电耦合器，其特征是，所述透光镜是由透明硅胶制成。

4.根据权利要求1所述高电流传输比的光电耦合器，其特征是，所述壳体是由环氧树脂注塑成型，所述壳体内腔填充有硅树脂，所述硅树脂包裹住第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架的内端。