[实用新型]一种高电流传输比的光电耦合器

说明书

本实用新型涉及一种高电流传输比的光电耦合器。它包括壳体，壳体内设有第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架，第三支架的内端设有聚光槽和led晶片，led晶片设于聚光槽内并位于光敏三极管晶片的上方，led晶片通过第二金线与第四支架的内端电性连接。本实用新型光电耦合器在不改变光电耦合器其他性能和不增加生产成本、不更换高精度的生产设备的前提下，改进了支架的结构，本实用新型在LED晶片安装的支架的内端设置聚光凹槽，由于聚光凹槽的聚光性能，因此能有效地增强LED晶片的发光强度，从而提高了光电耦合器的电流传输比，最终使得工厂生产的光电耦合器的电流传输比最大产量范围在450%‑600%。

技术领域

本实用新型涉及光电耦合器的技术领域，尤其是一种高电流传输比的光电耦合器。

背景技术

光电耦合器用于隔离信号传输，因此成为大部分家电控制板上必须使用的电器零部件，一般单板使用在1颗以上，而电流传输比为光电耦合器的核心参数。电流传输比的大小与IR端的红外LED的发光强度有关，红外LED晶片直接固在平面支架上，但是由于现在工厂生产的光电耦合器因生产精度限制固晶时瓷嘴晃动，导致生产出来的光电耦合器的电流传输比值范围在50-600%之间变动，光电耦合器产量最大的电流传输比值范围为250-450%，而市场需求量最大的是电流传输比值范围在450-600%的光电耦合器。所以市场上工厂都是采用分区间的方式来供货。目前，市场端需求最大的是电流传输比值为 450-600%的光电耦合器，其目前处于供不应求的状态，而工厂端，电流传输比值低于450%的光电耦合器又大量囤积，导致工厂的生产成本大大浪费了。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术存在的不足,而提供一种结构简单、合理、生产成本低的、通过增强led晶片的发光强度，从而提高电流传输比的高电流传输比的光电耦合器。

本实用新型的目的是这样实现的：

一种高电流传输比的光电耦合器，包括壳体，所述壳体内设有第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架，所述第一支架的内端设有光敏三极管晶片，所述光敏三极管晶片通过第一金线与第二支架的内端电性连接，所述第一支架的外端和第二支架的外端均朝壳体的左侧伸出，以分别形成第一引脚和第二引脚，所述第三支架的外端和第四支架的外端均朝壳体的右侧伸出，以分别形成第三引脚和第四引脚，其特征是，所述第三支架的内端设有聚光槽和led晶片，所述led晶片设于聚光槽内并位于光敏三极管晶片的上方，所述led晶片通过第二金线与第四支架的内端电性连接。

本实用新型还可以可作以下进一步改进。

所述聚光槽内设有透光镜，所述led晶片设于透光镜内，透光镜也能增强聚光性。

所述透光镜是由透明硅胶制成。

所述壳体是由环氧树脂注塑成型，所述壳体内腔填充有硅树脂，所述硅树脂包裹住第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架的内端。所述环氧树脂呈黑色，黑色的环氧树脂能保证外部光不会影响到本实用新型的内部信号，避免误触发。所述硅树脂是白色，白色的硅树脂可以保证内部结构稳定的同时，不阻碍信号传输。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型光电耦合器在不改变光电耦合器其他性能和不增加生产成本、不更换高精度的生产设备的前提下，改进了支架的结构，本实用新型在LED晶片安装的支架的内端设置聚光凹槽，由于聚光凹槽的聚光性能，因此能有效地增强LED晶片的发光强度，从而提高了光电耦合器的电流传输比，最终使得工厂生产的光电耦合器的电流传输比最大产量范围在450%-600%。本实用新型光电耦合器的工厂生产的电流传输比值范围在250-800%。

附图说明

图1是本实用新型的内部结构示意图。

图2是图1的俯视图。

图3是本实用新型的电路图。