[实用新型]沟槽结构肖特基器件

摘要

本实用新型公开一种沟槽结构肖特基器件，其沟槽四壁均具有第一二氧化硅氧化层，一导电多晶硅体嵌入所述沟槽内，位于导电多晶硅体中下部的多晶硅中下部位于沟槽内且与单晶硅外延层之间设有所述第一二氧化硅氧化层，位于导电多晶硅体上部的多晶硅上部位于上金属层内，且多晶硅上部四周与上金属层之间设有第二二氧化硅氧化层；位于所述栅沟槽底部的底部第一二氧化硅氧化层厚度大于位于栅沟槽侧壁的侧部第一二氧化硅氧化层厚度；所述单晶硅外延层下部从上往下依次由中掺杂N类型分层和低掺杂N类型分层组成。本实用新型有助于增加器件在高频应用上的切换效率，可以使器件在高频应用的运行更为稳定。

主权项

1.一种沟槽结构肖特基器件，该沟槽结构肖特基器件的有源区由若干个肖特基势垒单胞（1）并联构成；在截面上，每个肖特基势垒单胞（1）包括硅片（2），位于所述硅片（2）背面的下金属层（3），位于所述硅片（2）正面的上金属层（4），所述硅片（2）下部与所述下金属层（3）连接的区域为N类型重掺杂的单晶硅衬底（5），所述硅片（2）上部与上金属层（4）连接的区域为N类型轻掺杂的单晶硅外延层（6），位于所述单晶硅外延层（6）上部并开口于所述单晶硅外延层（6）上表面的沟槽（7）；其特征在于：所述沟槽（7）四壁均具有第一二氧化硅氧化层（8），一导电多晶硅体（9）嵌入所述沟槽（7）内，位于导电多晶硅体（9）中下部的多晶硅中下部（91）位于沟槽（7）内且与单晶硅外延层（6）之间设有所述第一二氧化硅氧化层（8），位于导电多晶硅体（9）上部的多晶硅上部（92）位于上金属层（4）内，且多晶硅上部（92）四周与上金属层（4）之间设有第二二氧化硅氧化层（10）；位于栅沟槽底部的底部第一二氧化硅氧化层（81）厚度大于位于栅沟槽侧壁的侧部第一二氧化硅氧化层（82）厚度；所述单晶硅外延层（6）下部从上往下依次由中掺杂N类型分层（121）和低掺杂N类型分层（122）组成。