[实用新型]一种平面MOS终端截止环的打孔结构有效
| 申请号： | 201820993623.7 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN208923150U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林晓楷;方绍明;刘竹 | 申请（专利权）人： | 深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 乐珠秀 |
| 地址： | 518031 广东省深圳市福田区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种平面MOS终端截止环的打孔结构，包括截止环本体，所述截止环本体包括第一导电类型漏极区，所述第一导电类型漏极区的顶部设有N+单晶硅衬底，所述N+单晶硅衬底的顶部设有N‑外延层，所述N‑外延层的顶部设有N+源极区层，所述N+源极区层的顶部设有绝缘介质层，所述绝缘介质层的顶部设有截止环金属区层，所述截止环本体还包括：多晶硅层，所述多晶硅层与N+源极区层相接触，所述多晶硅层的顶部和侧壁均与绝缘介质层接触；第一接触孔，所述第一接触孔贯穿绝缘介质层延伸至与多晶硅层相接触。本实用新型设计合理，实用性能高，在截止环区的四个角落打第二接触孔，实现缩小芯片尺寸、降低生产成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 截止环 绝缘介质层 多晶硅层 接触孔 源极区 第一导电类型 单晶硅 本实用新型 打孔结构 漏极区 外延层 衬底 终端 实用性能 金属区 侧壁 芯片 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种平面MOS终端截止环的打孔结构，包括截止环本体，所述截止环本体包括第一导电类型漏极区，所述第一导电类型漏极区的顶部设有N+单晶硅衬底，所述N+单晶硅衬底的顶部设有N‑外延层(1)，所述N‑外延层(1)的顶部设有N+源极区层(4)，所述N+源极区层(4)的顶部设有绝缘介质层(3)，所述绝缘介质层(3)的顶部设有截止环金属区层(7)，其特征在于，所述截止环本体还包括：多晶硅层(5)，所述多晶硅层(5)与N+源极区层(4)相接触，所述多晶硅层(5)的顶部和侧壁均与绝缘介质层(3)接触；第一接触孔(6)，所述第一接触孔(6)贯穿绝缘介质层(3)延伸至与多晶硅层(5)相接触，所述第一接触孔(6)内填充有第一金属，所述第一金属的顶端与截止环金属区层(7)相连接；第二接触孔(8)，所述第二接触孔(8)贯穿绝缘介质层(3)并延伸至与N‑外延层(1)和N+源极区层(4)相接触，所述第二接触孔(8)内填充有第二金属，所述第二金属的顶端与截止环金属区层(7)相连接；Active层(2)，所述Active层(2)的顶部和底部分别与N‑外延层(1)和绝缘介质层(3)相连接。
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