[实用新型]发光二极管的倒装芯片有效
| 申请号： | 201820959204.1 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN208478364U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;刘英策;李俊贤;吴奇隆 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/54 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片，其中所述倒装芯片包括一衬底、一N型层、一有源区、一P型层、至少一反射层、一绝缘层、一分布式布拉格反射层、一N型电极以及一P型电极，所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠，所述倒装芯片的一N型层裸露部自所述P型成经所述有源区延伸至所述N型层，所述反射层生长于所述P型层，所述绝缘层生长于所述N型层、所述有源区、所述P型层和所述反射层，所述分布式布拉格反射层生长于所述绝缘层，所述N型电极和所述P型电极分别电连接于所述N型层和所述P型层。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装芯片 绝缘层 源区 反射层 分布式布拉格反射层 发光二极管 衬底 生长 本实用新型 依次层叠 电连接 裸露 延伸 | ||
【主权项】：
1.发光二极管的倒装芯片，其特征在于，包括：一透明的衬底；一外延单元，其中所述外延单元包括一N型层、一有源区以及一P型层，其中所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠，其中所述外延单元具有至少一N型层裸露部，所述N型层裸露部自所述P型层经所述有源区延伸至所述N型层；至少一反射层，其中所述反射层生长于所述外延单元的所述P型层；一透明的绝缘层，其中所述透明的绝缘层生长于所述外延单元的所述P型层、所述有源区和所述N型层以及生长于所述反射层；一分布式布拉格反射层，其中所述分布式布拉格反射层生长于所述绝缘层；以及一电极单元，其中所述电极单元包括至少一N型电极和至少一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述外延单元的所述N型层，所述P型电极被电连接于所述外延单元的所述P型层。
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