[实用新型]发光二极管的倒装芯片

说明书

本实用新型公开了一发光二极管的倒装芯片，其中所述倒装芯片包括一衬底、一N型层、一有源区、一P型层、至少一反射层、一绝缘层、一分布式布拉格反射层、一N型电极以及一P型电极，所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠，所述倒装芯片的一N型层裸露部自所述P型成经所述有源区延伸至所述N型层，所述反射层生长于所述P型层，所述绝缘层生长于所述N型层、所述有源区、所述P型层和所述反射层，所述分布式布拉格反射层生长于所述绝缘层，所述N型电极和所述P型电极分别电连接于所述N型层和所述P型层。

技术领域

本实用新型涉及一LED芯片，特别涉及一发光二极管的倒装芯片。

背景技术

随着发光二极管(Light-Emitting diode，LED)照明应用的领域越来越广泛，作为发光二极管的核心部件的芯片技术也得到了突飞猛进式的发展。目前，普遍采用的一种发光二极管的芯片为正装芯片，其特点是出光面和导电电极位于正装芯片的同一侧，这使得导电电极会遮挡光线而导致正装芯片的出光面的面积受限。为了增大发光二极管的芯片的出光面积，一种倒装芯片应运而生，与正装芯片不同的是，倒装芯片的导电电极和出光面位于倒装芯片的不同侧，以避免导电电极遮挡光线。虽然这种倒装芯片克服了正装芯片的导电电极遮挡光线而导致出光面的面积受限的问题，但是这种倒装芯片采用P电极和N电极直上直下式的结构并交错分布在倒装芯片的表面，这导致在制作倒装芯片的焊接工艺过程中要求高精度的对准工艺，难度比较大，且良率较低。现有的倒装芯片采用电极二次分布的结构，其将P电极和N电极分布在倒装芯片的两端，以有利于芯片的下游厂商将其封装为最终产品，现有的倒装芯片的这种结构克服了早期的倒装芯片的结构缺陷，并且因为现有的倒装芯片便于被下游厂商封装而变得十分的流行。尽管如此，现有的倒装芯片仍然具有缺陷而影响倒装芯片的可靠性和产品良率。具体地说，在制作P电极和N电极分布在倒装芯片的两端的倒装芯片的过程中的关键工艺是电极二次分布的绝缘层制作，常规的绝缘层采用蒸镀方式制作分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector，DBR)，其既能起到绝缘作用，又可以提高反射能力，但是蒸镀方式制作的分布式布拉格反射镜受限于蒸镀的方向性以及蒸镀蒸气颗粒尺寸，导致分布式布拉格反射镜的台阶覆盖性较差，容易导致台阶覆盖处漏电的不良现象，而一旦分布式布拉格反射镜在台阶覆盖处出现了漏电的不良现象，则导致倒装芯片失效。因为需要P电极和N电极在倒装芯片的同一侧分别导通P型层和N型层，使得现有的倒装芯片的结构中存在着非常多的台阶，由于分布式布拉格反射镜的台阶覆盖性较差，从而在台阶众多的倒装芯片的结构中更容易出现漏电的不良现象。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的倒装芯片，其中所述倒装芯片提供一分布式布拉格反射层，其中所述分布式布拉格反射层的台阶覆盖性被大幅度地提高，以避免所述倒装芯片出现漏电的不良现象，从而保证所述倒装芯片的可靠性和提高所述倒装芯片的产品良率。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的倒装芯片，其中所述倒装芯片提供一绝缘层，所述分布式布拉格反射层层叠于所述绝缘层，通过所述绝缘层隔离所述分布式布拉格反射层和所述倒装芯片的台阶的方式能够大幅度地提高所述分布式布拉格反射层的台阶覆盖性。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的倒装芯片，其中所述绝缘层为透光绝缘层，从而即便是所述绝缘层隔离所述分布式布拉格反射层和所述倒装芯片的台阶，所述分布式布拉格反射层的反射性能也不会被影响。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的倒装芯片，其中形成所述绝缘层的材料与形成所述分布式布拉格反射层的材料相近，从而保证所述分布式布拉格反射层与所述绝缘层之间的粘结性，进而保证所述倒装芯片的可靠性。

本实用新型的一个目的在于提供一发光二极管的倒装芯片，其中所述分布式布拉格反射层提供至少一对膜层，其中所述一对膜层包括一第一膜层和层叠于所述第一膜层的一第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层具有不同的折射率。