[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201820957933.3 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN208298830U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 杨号号;王恩博;张勇;陶谦;胡禺石;吕震宇;卢峰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一堆叠结构、贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔结构，所述第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层和位于所述半导体层上的凹槽；位于所述基底表面的第二堆叠结构；贯穿所述第二堆叠结构到达所述凹槽的第二沟道孔；位于所述第二沟道孔侧壁和所述凹槽内壁的第二功能侧墙；位于所述第二功能侧墙表面和所述第二功能侧墙未覆盖的所述半导体层表面的第二沟道层。上述半导体结构的性能较高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 堆叠结构 沟道 侧墙 半导体层 孔结构 基底 半导体层表面 本实用新型 凹槽内壁 基底表面 沟道层 孔侧壁 贯穿 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一堆叠结构、贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔结构，所述第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层和位于所述半导体层上的凹槽；位于所述基底表面的第二堆叠结构；贯穿所述第二堆叠结构到达所述凹槽的第二沟道孔；位于所述第二沟道孔侧壁和所述凹槽内壁的第二功能侧墙；位于所述第二功能侧墙表面和所述第二功能侧墙未覆盖的所述半导体层表面的第二沟道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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