[实用新型]一种深紫外LED外延芯片封装结构

摘要

本实用新型公开了一种深紫外LED外延芯片封装结构包括穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到重掺杂N型AlGaN层的第一凹槽和穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到电流扩展层的第二凹槽，第一凹槽内、第二凹槽内设置有底部的第一金属层、第二金属层，侧壁的第一隔离层、第二隔离层，及填充的N型内部金属接触层和P型内部金属接触层，与设置在台面的N型电极和P型电极连接。通过在芯片内部刻蚀形成凹槽，减小了对发光区域的刻蚀以及损害，增大了有效发光面积；凹槽的设置增加了外延层内部的电流路径，起到了分流的作用，金属层以及内部金属接触层的设置缩短了传热路径，降低了热阻，提高了散热效率。

主权项

1.一种深紫外LED外延芯片封装结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底、依次设置基于所述蓝宝石衬底一侧的BN缓冲层、AlN层、AlN/AlGaN超晶格层、重掺杂N型AlGaN层、轻掺杂N型AlGaN层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区、P型AlGaN电子阻挡层、P型AlGaN过渡层、P型GaN接触层、电流扩展层、反射层、导电薄膜接触层以及设置在台面和侧壁的钝化绝缘层，还包括穿过所述钝化绝缘层、所述导电薄膜接触层到所述重掺杂N型AlGaN层的第一凹槽和穿过所述钝化绝缘层、所述导电薄膜接触层到所述电流扩展层的第二凹槽，所述第一凹槽内设置有底部的第一金属层、侧壁的第一隔离层以及填充的N型内部金属接触层，所述第一金属层通过所述N型内部金属接触层与设置在台面的N型电极连接，所述第二凹槽内设置有底部的第二金属层、侧壁的第二隔离层和填充的P型内部金属接触层，所述第二金属层通过所述P型内部金属接触层与设置在所述台面的P型电极连接。