[实用新型]一种深紫外LED外延芯片封装结构

权利要求书

1.一种深紫外LED外延芯片封装结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底、依次设置基于所述蓝宝石衬底一侧的BN缓冲层、AlN层、AlN/AlGaN超晶格层、重掺杂N型AlGaN层、轻掺杂N型AlGaN层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区、P型AlGaN电子阻挡层、P型AlGaN过渡层、P型GaN接触层、电流扩展层、反射层、导电薄膜接触层以及设置在台面和侧壁的钝化绝缘层，还包括穿过所述钝化绝缘层、所述导电薄膜接触层到所述重掺杂N型AlGaN层的第一凹槽和穿过所述钝化绝缘层、所述导电薄膜接触层到所述电流扩展层的第二凹槽，所述第一凹槽内设置有底部的第一金属层、侧壁的第一隔离层以及填充的N型内部金属接触层，所述第一金属层通过所述N型内部金属接触层与设置在台面的N型电极连接，所述第二凹槽内设置有底部的第二金属层、侧壁的第二隔离层和填充的P型内部金属接触层，所述第二金属层通过所述P型内部金属接触层与设置在所述台面的P型电极连接。

2.根据权利要求1所述深紫外LED外延芯片封装结构，其特征在于，还包括设置在所述导电薄膜接触层外部与所述P型电极连接而不与所述N型电极连接的金属环结构。

3.根据权利要求2所述深紫外LED外延芯片封装结构，其特征在于，所述金属环结构包括由多条金属导线条围成的未封闭的环形金属导线框，所述金属导线条由所述P型电极从四个不同的方向引出，并向所述N型电极扩展但不连接，且关于所述N型电极对称分布。

4.根据权利要求3所述深紫外LED外延芯片封装结构，其特征在于，所述金属导线条的厚度约为15nm～20nm。

5.根据权利要求4所述深紫外LED外延芯片封装结构，其特征在于，还包括设置在所述蓝宝石衬底与所述BN缓冲层连接一侧的沟壑状结构。

6.根据权利要求5所述深紫外LED外延芯片封装结构，其特征在于，所述第一隔离层、所述第二隔离层的厚度为5nm～10nm。

7.根据权利要求6所述深紫外LED外延芯片封装结构，其特征在于，还包括设置在所述蓝宝石衬底的另一侧的基板散热器。