[实用新型]半导体器件有效
申请号: | 201820698944.4 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN209434176U | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 吴澄玮 | 申请(专利权)人: | 吴澄玮 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑;贺亮 |
地址: | 中国台湾台北市中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 揭示一种半导体器件。所述半导体器件包括重分布结构、处理器芯片和金属柱。所述金属柱具有第一端和第二端。所述金属柱的第一端连接到所述重分布结构。所述第一端具有第一宽度。所述第二端具有第二宽度。所述金属柱具有腰部宽度。所述第一宽度大于所述腰部宽度。所述第二宽度大于所述腰部宽度。所述金属柱具有一侧表面。所述侧表面向内弯曲或向外弯曲。 | ||
搜索关键词: | 金属柱 半导体器件 第一端 腰部 重分布结构 处理器芯片 侧表面 向内 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:重分布结构;处理器芯片,所述处理器芯片具有有源侧和背侧,所述有源侧朝向第一方向,所述处理器芯片的有源侧连接到所述重分布结构;以及金属柱,所述金属柱设置在所述处理器芯片旁,所述金属柱具有第一端、第二端和腰部,所述金属柱以所述第一端连接到所述重分布结构,所述第一端朝向所述第一方向,所述第一端具有第一宽度、所述第二端具有第二宽度、所述腰部具有腰部宽度,所述第一宽度大于所述腰部宽度、所述第二宽度大于所述腰部宽度,所述金属柱具有侧表面,所述侧表面向内弯曲;其中所述重分布结构具有多个子层,所述子层为绝缘层,每一子层包括金属迹线和导电通孔,所述导电通孔包括底部和环状折边,所述导电通孔具有多个开口,所述多个开口相对于所述底部的中心点是对称的。
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