[实用新型]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201820585100.9 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN208077982U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N+发射极，设置在P阱区远离漂移区的一侧；两个沟槽，每个沟槽开设在N+发射极、P阱区和漂移区内，且贯穿N+发射极和P阱区；沟槽氧化层，设置在两个沟槽中且覆盖每个沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个多晶硅栅极填充在沟槽氧化层远离漂移区的一侧，并且，每个多晶硅栅极包括依次层叠设置的N型子栅极和P型子栅极。本实用新型所提出的IGBT的栅极设置为PN结，如此，可减小栅极与集电极之间的寄生电容Cgc，从而缩短开通时间，进而减小开通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 绝缘栅双极型晶体管 多晶硅栅极 发射极 本实用新型 沟槽氧化层 子栅极 减小 漂移 寄生电容 依次层叠 集电极 开通 填充 贯穿 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧，并且，每个所述多晶硅栅极包括依次层叠设置的N型子栅极和P型子栅极。
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