[实用新型]包括终止结构的电子设备有效
| 申请号： | 201820369148.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN208127215U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | G·H·罗切尔特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王美石;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种包括终止结构的电子设备，所述终止结构包括衬底、半导体层和第一沟槽。所述半导体层具有主表面。所述第一沟槽延伸穿过所述半导体层的厚度的大部分。所述衬底和所述半导体具有相反的导电类型。在一个实施方案中，主体延伸区具有与所述半导体层相同的导电类型，与所述主表面相邻并且与所述第一沟槽间隔开。在另一个实施方案中，掺杂区具有与所述衬底相同的导电类型，与所述主表面相邻并且邻接所述第一沟槽。在另一实施方案中，所述终止结构可包括第二沟槽，所述第二沟槽延伸穿过所述半导体层的厚度的大部分，并且掺杂区与所述第一沟槽和所述第二沟槽间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 终止结构 导电类型 主表面 衬底 电子设备 沟槽间隔 延伸穿过 掺杂区 主体延伸 邻接 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种包括终止结构的电子设备，所述终止结构包括：衬底，所述衬底包括第一导电类型的半导体材料；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体层，其中所述第一半导体层覆盖在所述衬底上面并且具有主表面；第一沟槽，所述第一沟槽延伸穿过所述第一半导体层的厚度的大部分；以及所述第二导电类型的主体延伸区，所述主体延伸区与所述第一半导体层的所述主表面相邻并且与所述第一沟槽间隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820369148.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
