[实用新型]功率半导体分立器件散热结构及电气装置有效
| 申请号： | 201820349477.4 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN208028049U | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 肖齐 | 申请（专利权）人： | 苏州汇川联合动力系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 陆军 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种功率半导体分立器件散热结构及电气装置，所述功率半导体分立器件包括封装在绝缘外壳内的芯片以及焊接到所述芯片的铜框架，且所述铜框架露出于所述绝缘外壳的底部，其特征在于，所述散热结构包括散热器和陶瓷基片；所述陶瓷基片的上表面具有第一金属层、下表面具有第二金属层，且所述第一金属层和第二金属层相互绝缘；所述功率半导体分立器件的铜框架焊接到所述陶瓷基片的第一金属层，所述散热器焊接到所述陶瓷基片的第二金属层。本实用新型通过将功率半导体分立器件的铜框架焊接到陶瓷基片上表面的第一金属层，同时将散热器焊接到陶瓷基片下表面的第二金属层，可大大简化功率半导体分立器件散热结构，并提高散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 功率半导体 分立器件 陶瓷基片 第二金属层 第一金属层 散热结构 铜框架 散热器 本实用新型 电气装置 绝缘外壳 上表面 下表面 芯片 散热效率 封装 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体分立器件散热结构，所述功率半导体分立器件包括封装在绝缘外壳内的芯片以及焊接到所述芯片的铜框架，且所述铜框架露出于所述绝缘外壳的底部，其特征在于，所述散热结构包括散热器和陶瓷基片；所述陶瓷基片的上表面具有第一金属层、下表面具有第二金属层，且所述第一金属层和第二金属层相互绝缘；所述功率半导体分立器件的铜框架焊接到所述陶瓷基片的第一金属层，所述散热器焊接到所述陶瓷基片的第二金属层。
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