[发明专利]电荷俘获型存储器和其制作方法

摘要

本申请提供了一种电荷俘获型存储器和其制作方法。该电荷俘获型存储器包括依次叠置的衬底、沟道层、隧穿层、电荷俘获层以及阻挡层，其中，隧穿层、电荷俘获层以及阻挡层位于沟道层的远离衬底的表面的部分区域上，电荷俘获型存储器还包括第一电极和第二电极，其中，第一电极位于沟道层的远离衬底的上且位于未设置有隧穿层的区域上，第二电极位于阻挡层的远离电荷俘获层的表面上，沟道层的材料的电子迁移率大于或等于1500cm2/V·s。该器件的P/E速度较高，闪存器件的驱动电流较高。

主权项

1.一种电荷俘获型存储器，其特征在于，包括依次叠置的衬底、沟道层、隧穿层、电荷俘获层以及阻挡层，其中，所述隧穿层、所述电荷俘获层以及所述阻挡层位于所述沟道层的远离所述衬底的表面的部分区域上，所述电荷俘获型存储器还包括第一电极和第二电极，其中，所述第一电极位于所述沟道层的远离所述衬底的上且位于未设置有所述隧穿层的区域上，所述第二电极位于所述阻挡层的远离所述电荷俘获层的表面上，所述沟道层的材料的电子迁移率大于或等于1500cm²/V·s。