[发明专利]ONO薄膜的工艺方法在审
| 申请号： | 201811607465.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109698117A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王青;孙勤;高勇平 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ONO薄膜的方法，是适用于SONOS存储器制造工艺中形成ONO薄膜，包含主要工艺流程：第一步，提供一半导体硅衬底，在所述半导体硅衬底上采用低压自由基氧化工艺生长一层氧化层；第二步，在上述形成的氧化层中掺杂N，在所述氧化层上形成一层SiON层。第三步，继续形成一层氮化硅层。第四步，再次完成氧化层沉积。本发明将隧道氧化层的生长更改为低压自由基氧化工艺，并且将第一层氮化层用SiON层替代，制备的ONO均一性更好，隧道氧化层的质量更优，并且第一层氮化层的掺N量和深度易调节，可以有效的提高器件的可靠性。本发明工艺非常简单，且易于集成，可用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 自由基氧化工艺 隧道氧化层 半导体硅 氮化层 第一层 衬底 氮化硅层 制造工艺 生长 工艺流程 均一性 易调节 沉积 可用 制备 掺杂 替代 生产 | ||
【主权项】：
1.一种ONO薄膜的方法，是适用于SONOS存储器制造工艺中形成ONO薄膜，其特征在于：包含主要工艺流程如下：第一步，提供一半导体硅衬底，在所述半导体硅衬底上采用低压自由基氧化工艺生长一层氧化层；第二步，在上述形成的氧化层中掺杂N，在所述氧化层上形成一层SiON层。第三步，继续形成一层氮化硅层。第四步，再次完成氧化层沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
