[发明专利]一种带AlN和Si过渡片陶瓷外壳封装结构有效
申请号: | 201811606411.X | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109727924B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 王媛媛;万海强;左乔峰 | 申请(专利权)人: | 江苏省宜兴电子器件总厂有限公司 |
主分类号: | H01L23/06 | 分类号: | H01L23/06;H01L23/08 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 吴旭 |
地址: | 214200 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种带AlN和Si过渡片陶瓷外壳封装结构,包括陶瓷外壳基座,陶瓷外壳基座包括陶瓷芯腔以及键合指,陶瓷外壳基座的顶部焊接封接环,陶瓷芯腔内,从下往上依次焊接氮化铝过渡片、硅过渡片以及硅芯片,硅芯片通过键合丝连接到陶瓷外壳基座上相应的键合指上,封接环上焊接有金锡合金盖板。本发明通过使用两层过渡片,氮化铝过渡片的热膨胀系数在氧化铝陶瓷和硅片之间,上层过渡片为与焊接芯片材质相同的硅,并且两层过渡片都采用局部焊接的方式,来减小芯片与陶瓷外壳焊接处之间的应力,大大增加芯片焊接时的可靠性,提高产品的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 aln si 过渡 陶瓷 外壳 封装 结构 | ||
【主权项】:
1.一种带AlN和Si过渡片陶瓷外壳封装结构,包括陶瓷外壳基座(1),所述陶瓷外壳基座(1)包括陶瓷芯腔(1‑1)以及键合指(1‑4),所述陶瓷外壳基座(1)的顶部焊接封接环(1‑2),其特征在于:所述陶瓷芯腔(1‑1)内,从下往上依次焊接氮化铝过渡片(1‑7)、硅过渡片(1‑6)以及硅芯片(1‑5),所述硅芯片(1‑5)通过键合丝连接到陶瓷外壳基座(1)上相应的键合指(1‑4)上,所述封接环(1‑2)上焊接有金锡合金盖板(1‑7)。
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