[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811605467.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111435639B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张庆;金懿;蒋莉;纪登峰;刘璐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有伪栅结构，伪栅结构露出的基底上形成有层间介质层，层间介质层露出伪栅结构顶部；在相邻伪栅结构之间的层间介质层中形成隔离结构，隔离结构还延伸至基底中；形成隔离结构后，去除伪栅结构，在层间介质层内形成栅极开口；向栅极开口内填充栅电极材料，栅电极材料还覆盖层间介质层顶部；进行至少一次研磨处理，去除高于层间介质层顶部的栅电极材料，保留栅极开口内的栅电极材料作为栅电极层，研磨处理步骤包括：采用金属用研磨液进行第一研磨处理；采用去离子水进行第二研磨处理。通过第二研磨处理，降低层间介质层顶面形成有栅电极材料的残留物的概率，改善了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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