[发明专利]一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法

摘要

本发明公开了一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，包括：对硅片进行硼扩散形成正面BSG层和背面BSG层；去除背面BSG层，并对硅片进行氧化形成氧化层；在硅片的氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层表面沉积掩膜层；将硅片浸入HF溶液中去除硅片正面的掩膜层绕镀；将硅片浸入碱溶液中去除硅片正面的多晶硅层绕镀；去除掩膜层和正面BSG层。通过在硅片上进行硼扩散形成BSG层，将背面的BSG层去除，对硅片进行氧化，与后续沉积的多晶硅层形成特殊结构，在多晶硅层表面设置掩膜层与正面BSG层作为保护层，在HF酸溶液中去除掩膜层绕镀，在碱溶液中去除多晶硅层绕镀，最后去除掩膜层和正面BSG层，减少了遮光面积，提高了电池效率，解决了外观不良问题，提高了电池性能。

主权项

1.一种去除LPCVD多晶硅绕镀的方法，其特征在于，包括：步骤1，对硅片进行硼扩散形成正面BSG层和背面BSG层；步骤2，去除所述背面BSG层，并对所述硅片进行氧化形成氧化层；步骤3，在所述硅片的氧化层上沉积多晶硅层；步骤4，在所述多晶硅层表面沉积掩膜层；步骤5，将所述硅片浸入HF溶液中去除所述硅片正面的掩膜层绕镀；步骤6，将所述硅片浸入碱溶液中去除所述硅片正面的多晶硅层绕镀；步骤7，去除所述掩膜层和所述正面BSG层。