[发明专利]一种低掺杂浓度氮化镓的制备工艺

摘要

本发明提供了一种低掺杂浓度氮化镓的制备工艺，包括以下步骤：S1,材料准备，准备GaN基板与其他相应器材；S2，安装准备工作，完成GaN基板的安装；S3，调节中电流离子注入机参数；S4注入离子，启动中电流离子注入机，向GaN基板中注入Mg离子；S5，加热处理，将上步中的GaN基板放入到加热箱内进行加热；S6退火处理，降低加热箱的加热温度然后保温；S7冷却处理。本发明通过对GaN基板进行双面注入，提高了掺杂剂Mg在整个GaN基板的掺杂效率；在对GaN基板进行注入掺杂后，再通过加热将GaN基板内的掺杂剂Mg进行二次分散处理，进而提高了掺杂剂Mg在GaN基板中的分散程度，极大的降低了位错，进一步的提高了掺杂剂Mg在GaN基板中的掺杂效率。

主权项

1.一种低掺杂浓度氮化镓的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1，材料准备：准备GaN基板、翻转架、真空箱、中电流离子注入机、加热箱、氮气源、离子源；S2，安装准备工作，将GaN基板装夹在翻转架上，并将翻转架放置在真空箱的正中位置，将中电流离子注入机的注射头固定安装在真空箱顶部的正中位置，抽真空处理；S3，调节中电流离子注入机参数，设定注射电流为80m‑110mA，电压设定为5KV‑10KV，离子束能量为20KeV‑110KeV，离子密度为2x1013/cm²‑4x1013/cm²；S4，注入离子，启动中电流离子注入机，注射头射出离子束的投射到GaN基板表面上，并均匀分散到GaN基板的内部；S5，加热处理，将上步中的GaN基板从真空箱内取出并放入到加热箱中加热；S6，退火处理，停止加热后，向加热箱内通入氮气，然后降温到一定温度，并保温一段时间；S7，冷却处理，退火处理后，关停加热炉，使GaN基板随加热炉自然冷却，冷却后将加热炉内氮气放掉，然后从加热炉内取出完成掺杂处理的GaN基板。