[发明专利]一种一体化集成电路封装结构在审

专利信息
申请号: 201811555036.0 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN109599389A 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 陈小浪;宋柏;章圣长;吴沁阳;唐攀;刘秋实 申请(专利权)人: 成都瑞迪威科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 苏丹
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及雷达通信领域,具体的说是用于多芯片封装的一体化集成电路封装结构,包括第一类裸晶片、第二类裸晶片、金属层和人造电介质层,所述金属层包括第一再分布层和第二再分布层;所述金属层和人造电介质层聚酰亚胺交错堆叠,所述裸晶片包裹于人造电介质塑封材料mold compound中,所述第一再分布层与所述裸晶片连接。本申请集成多种不同种类不同材质的芯片和分立器件,做成一个小系统,可以获得体积上的巨大优势,将传统的金属氧化物半导体(CMOS)裸晶片和砷化镓、氮化镓等化合物裸晶片集成在同一个封装体内部,可以兼顾CMOS芯片的低成本、高集成度和化合物芯片的高功率低噪声等性能,从整体上可以提升产品的性能,降低成本,提升集成度,降低开发难度,缩短开发周期。
搜索关键词: 裸晶片 人造电介质 再分布层 金属层 一体化集成电路 封装结构 金属氧化物半导体 多芯片封装 化合物芯片 分立器件 高集成度 交错堆叠 聚酰亚胺 开发周期 雷达通信 塑封材料 传统的 氮化镓 低成本 低噪声 高功率 集成度 砷化镓 体内部 小系统 封装 芯片 申请 开发
【主权项】:
1. 一种一体化集成电路封装结构,其特征在于:包括第一类裸晶片、第二类裸晶片、金属层和人造电介质聚酰亚胺层(110),所述金属层包括第一再分布层(102)和第二再分布层(107);所述金属层和人造电介质聚酰亚胺层(110)交错堆叠,裸晶片包裹于人造电介质mold compound(109)中,所述第一再分布层(102)与所述裸晶片连接。
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