[发明专利]一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法有效
| 申请号： | 201811554646.9 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109355702B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 黄翀;彭国令 | 申请（专利权）人： | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/18;C30B28/14 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 邱轶 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发区文轩路2*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法，在衬底上设置多晶金刚石镀层，利用金刚石覆盖衬底以防止衬底发生刻蚀导致杂质原子的引入。由于衬底表面沉积多晶金刚石膜，阻挡了金刚石籽晶与异质衬底的接触，有效的隔离了衬底杂质原子，提高单晶金刚石的合成质量；由于衬底表面设置多晶金刚石材质的镀层，增加了衬底表面的粗糙度，因此对于金刚石籽晶的位置固定，具有显著的作用，可以最大化的利用有限空间，尽可能的合成多颗单晶金刚石，降低成本；由于多晶金刚石材质的镀层的热导率很高，增加了金刚石籽晶之间的温度均匀性，更利于单晶金刚石长时间的稳定生长。本发明应用于金刚石合成领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 降低 cvd 合成 金刚石 杂质 含量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于降低CVD合成金刚石杂质含量的方法，其特征在于，在衬底上设置多晶金刚石镀层，利用金刚石覆盖衬底以防止衬底发生刻蚀导致杂质原子的引入。
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