[发明专利]薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管在审
申请号: | 201811552695.9 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN109638067A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 黄田玉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管,其包括准备衬底;在衬底上形成有源层,并图案化有源层,有源层的材料为立方相氮化硼;以及依次在有源层上形成第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层、源漏金属层和平坦层。本申请采用立方相氮化硼替代多晶硅作为有源层的材料,直接采用CVD工艺形成立方相氮化硼有源层,节省了现有的以多晶硅为有源层材料的薄膜晶体管的制程中,进行去氢、退火和氢化三道工序,简化了薄膜晶体管的制程。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 源层 氮化硼 立方相 绝缘层 多晶硅 衬底 制程 退火 图案化有源层 源漏金属层 栅极金属层 氢化 去氢 申请 制作 替代 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:准备衬底;在所述衬底上形成有源层,并图案化所述有源层,所述有源层的材料为立方相氮化硼;在所述衬底上形成第一绝缘层;在所述衬底上形成栅极金属层;在所述衬底上形成第二绝缘层;在所述衬底上形成源漏金属层。
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