[发明专利]薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管在审

专利信息
申请号: 201811552695.9 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN109638067A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 黄田玉 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请提供一种薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管,其包括准备衬底;在衬底上形成有源层,并图案化有源层,有源层的材料为立方相氮化硼;以及依次在有源层上形成第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层、源漏金属层和平坦层。本申请采用立方相氮化硼替代多晶硅作为有源层的材料,直接采用CVD工艺形成立方相氮化硼有源层,节省了现有的以多晶硅为有源层材料的薄膜晶体管的制程中,进行去氢、退火和氢化三道工序,简化了薄膜晶体管的制程。
搜索关键词: 薄膜晶体管 源层 氮化硼 立方相 绝缘层 多晶硅 衬底 制程 退火 图案化有源层 源漏金属层 栅极金属层 氢化 去氢 申请 制作 替代
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:准备衬底;在所述衬底上形成有源层,并图案化所述有源层,所述有源层的材料为立方相氮化硼;在所述衬底上形成第一绝缘层;在所述衬底上形成栅极金属层;在所述衬底上形成第二绝缘层;在所述衬底上形成源漏金属层。
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