[发明专利]薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管，其包括准备衬底；在衬底上形成有源层，并图案化有源层，有源层的材料为立方相氮化硼；以及依次在有源层上形成第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层、源漏金属层和平坦层。本申请采用立方相氮化硼替代多晶硅作为有源层的材料，直接采用CVD工艺形成立方相氮化硼有源层，节省了现有的以多晶硅为有源层材料的薄膜晶体管的制程中，进行去氢、退火和氢化三道工序，简化了薄膜晶体管的制程。

技术领域

本申请涉及一种薄膜晶体管技术，特别涉及一种薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管。

背景技术

在显示面板的薄膜晶体管的制程中，包括形成有源层。目前采用低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)作为薄膜晶体管的沟道。在制程中，需要先以等离子体增强化学的气相沉积法沉积非晶硅，然后对非晶硅作去氢处理，接着进行激光退火处理以将非晶硅形成多晶硅，而后在进行离子植入和氢化处理。但是在形成有源层的制程中，工艺步骤相对复杂。

故，需要提供一种简化工艺步骤的薄膜晶体管及其制作方法，以解决上述技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管，以解决现有的薄膜晶体管在制程上工艺步骤较为复杂的技术问题。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：

准备衬底；

在所述衬底上形成有源层，并图案化所述有源层，所述有源层的材料为立方相氮化硼；

在所述衬底上形成第一绝缘层；

在所述衬底上形成栅极金属层；

在所述衬底上形成第二绝缘层；

在所述衬底上形成源漏金属层。

在本申请的薄膜晶体管的制作方法中，所述在所述衬底上形成有源层的步骤中，所述有源层通过化学气相沉积工艺形成，形成所述有源层的气体包括氯化硼(BCl₃)、氢化硼(B₂H₄)和氨气(NH₃)。

在本申请的薄膜晶体管的制作方法中，所述在所述衬底上形成有源层，并图案化所述有源层的步骤包括：

在所述有源层上涂覆光刻胶；

采用掩模工艺对所述光刻胶进行曝光和显影处理，以形成露出所述有源层的暴露区域；

对所述暴露区域的所述有源层进行刻蚀，形成图案化的有源层；

去除剩余的光刻胶。

在本申请的薄膜晶体管的制作方法中，图案化的所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的掺杂区，所述薄膜晶体管的制作方法包括对所述有源层进行掺杂处理，所述对所述有源层进行掺杂处理的步骤包括：

对所述掺杂区进行第一次掺杂处理；

在图案化的所述有源层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上对应于所述掺杂区的区域形成过孔，以暴露出至少部分所述掺杂区；

对所述过孔暴露出的所述掺杂区进行第二次掺杂处理，第二次掺杂工艺的元素掺杂量小于第一掺杂工艺的元素掺杂量的三分之一。

在本申请的薄膜晶体管的制作方法中，所述掺杂区为N型掺杂区，所述掺杂区的掺杂元素为磷、砷和锑中的一种或几种的混合。

在本申请的薄膜晶体管的制作方法中，所述掺杂区为P型掺杂区，所述掺杂区的掺杂元素为硼、铟中的一种或两种的混合。