[发明专利]薄膜晶体管的制作方法以及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

准备衬底；

在所述衬底上形成有源层，并图案化所述有源层，所述有源层的材料为立方相氮化硼；

在所述衬底上形成第一绝缘层；

在所述衬底上形成栅极金属层；

在所述衬底上形成第二绝缘层；

在所述衬底上形成源漏金属层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成有源层的步骤中，所述有源层通过化学气相沉积工艺形成，形成所述有源层的气体包括氯化硼、氢化硼和氨气。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成有源层，并图案化所述有源层的步骤包括：

在所述有源层上涂覆光刻胶；

采用掩模工艺对所述光刻胶进行曝光和显影处理，以形成露出所述有源层的暴露区域；

对所述暴露区域的所述有源层进行刻蚀，形成图案化的有源层；

去除剩余的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，图案化的所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的掺杂区，所述薄膜晶体管的制作方法包括对所述有源层进行掺杂处理，所述对所述有源层进行掺杂处理的步骤包括：

对所述掺杂区进行第一次掺杂处理；

在图案化的所述有源层上形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上对应于所述掺杂区的区域形成过孔，以暴露出至少部分所述掺杂区；

对所述过孔暴露出的所述掺杂区进行第二次掺杂处理，第二次掺杂工艺的元素掺杂量小于第一掺杂工艺的元素掺杂量的三分之一。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述掺杂区为N型掺杂区，所述掺杂区的掺杂元素为磷、砷和锑中的一种或几种的混合。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述掺杂区为P型掺杂区，所述掺杂区的掺杂元素为硼、铟中的一种或两种的混合。

7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述掺杂工艺为离子注入工艺。

8.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述源漏金属层通过过孔电性连接于所述掺杂区。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

有源层，设置在所述衬底上；

第一绝缘层，设置在所述有源层上；

栅极金属层，设置在所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，设置在所述栅极金属层上；以及

源漏金属层，设置在所述第二绝缘层上；

其中，所述有源层由立方氮化硼制成。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。