[发明专利]一种上电复位电路在审

专利信息
申请号: 201811542536.0 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN109474263A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 张煜彬;何伟伟;袁文师;陈宇;张巍;郑晓燕;王冠华;李鹏 申请(专利权)人: 上海贝岭股份有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;罗朗
地址: 200233 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种上电复位电路,包括PNP三极管、第一和第二分压电阻、限流电阻、第一和第二NMOS管、第一和第二PMOS管以及反相器;第一分压电阻的一端与电源电压电连接,另一端分别与第二分压电阻的一端以及第二NMOS管的栅极电连接;第二分压电阻的另一端分别与PNP三极管的发射极以及第一NMOS管的栅极电连接;PNP三极管的基极和集电极均与电源地电连接;第一NMOS管的源极分别与第二NMOS管的源极以及限流电阻的一端电连接;第二NMOS管的漏极分别与第二PMOS管的漏极以及反相器的输入端电连接,反相器的输出端用于输出复位信号。本发明实现了准确的复位阈值电平,同时保证了低成本低功耗。
搜索关键词: 电连接 分压电阻 反相器 上电复位电路 限流电阻 漏极 源极 输入端电连接 电源电压 输出复位 阈值电平 低成本 低功耗 电源地 发射极 集电极 输出端 复位 保证
【主权项】:
1.一种上电复位电路,其特征在于,包括PNP三极管、第一分压电阻、第二分压电阻、限流电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管以及反相器;第一分压电阻的一端与电源电压电连接,另一端分别与第二分压电阻的一端以及第二NMOS管的栅极电连接;第二分压电阻的另一端分别与PNP三极管的发射极以及第一NMOS管的栅极电连接;PNP三极管的基极和集电极均与电源地电连接;第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极以及反相器的供电端均与电源电压电连接,第一PMOS管的栅极分别与第二PMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极以及第一NMOS管的漏极电连接;第一NMOS管的源极分别与第二NMOS管的源极以及限流电阻的一端电连接;第二NMOS管的漏极分别与第二PMOS管的漏极以及反相器的输入端电连接,反相器的接地端以及限流电阻的另一端均与电源地电连接,反相器的输出端用于输出复位信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海贝岭股份有限公司,未经上海贝岭股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811542536.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top