[发明专利]一种上电复位电路

说明书

本发明公开了一种上电复位电路，包括PNP三极管、第一和第二分压电阻、限流电阻、第一和第二NMOS管、第一和第二PMOS管以及反相器；第一分压电阻的一端与电源电压电连接，另一端分别与第二分压电阻的一端以及第二NMOS管的栅极电连接；第二分压电阻的另一端分别与PNP三极管的发射极以及第一NMOS管的栅极电连接；PNP三极管的基极和集电极均与电源地电连接；第一NMOS管的源极分别与第二NMOS管的源极以及限流电阻的一端电连接；第二NMOS管的漏极分别与第二PMOS管的漏极以及反相器的输入端电连接，反相器的输出端用于输出复位信号。本发明实现了准确的复位阈值电平，同时保证了低成本低功耗。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种上电复位电路。

背景技术

随着物联网技术的发展，各式各样的集成电路被广泛应用于各种传感器节点电路中。对于传感器接口电路而言，电池供电以及多节点应用的特性要求其功耗和成本同时都比较低。作为传感器接口集成电路组成部分之一，上电复位电路也必须具有低成本与低功耗的特性。

对于上电复位电路而言，常用的实现方式主要分为延时型和电平型。RC复位电路作为延时型上电复位电路，其具有低成本低功耗的特性，但是其复位阈值电平随着工艺变化而变化，其对上电速度的要求也较高，无法满足当前传感器接口集成电路的应用需求。为了解决复位阈值电平随工艺变化的特性，在一些已有专利中，电平型上电复位电路采用NPN三极管，根据带隙基准的原理设计上电复位电路，但在大多数工艺中，采用NPN三极管意味着额外增加掩膜层，这将增加制造成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中上电复位电路无法满足传感器接口集成电路需求的缺陷，提供一种低成本低功耗的上电复位电路。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种上电复位电路，包括PNP三极管、第一分压电阻、第二分压电阻、限流电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管以及反相器；

第一分压电阻的一端与电源电压电连接，另一端分别与第二分压电阻的一端以及第二NMOS管的栅极电连接；第二分压电阻的另一端分别与PNP三极管的发射极以及第一NMOS管的栅极电连接；PNP三极管的基极和集电极均与电源地电连接；

第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极以及反相器的供电端均与电源电压电连接，第一PMOS管的栅极分别与第二PMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极以及第一NMOS管的漏极电连接；

第一NMOS管的源极分别与第二NMOS管的源极以及限流电阻的一端电连接；第二NMOS管的漏极分别与第二PMOS管的漏极以及反相器的输入端电连接，反相器的接地端以及限流电阻的另一端均与电源地电连接，反相器的输出端用于输出复位信号。

可选地，所述反相器包括第三PMOS管和第三NMOS管；

第三PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极电连接，构成所述反相器的输入端；

第三PMOS管的源极构成所述反相器的供电端；

第三PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极电连接，构成所述反相器的输出端；

第三NMOS管的源极构成所述反相器的接地端。

可选地，所述反相器包括第三PMOS管、第三NMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第五PMOS管、第五NMOS管；

第三PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极电连接，构成所述反相器的输入端；

第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极以及第五PMOS管的源极电连接，构成所述反相器的供电端；