[发明专利]一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法有效
| 申请号： | 201811541251.5 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111326611B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 徐厚强;蒋洁安;郭炜;叶继春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01S5/02 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 张鸿飞 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物半导体发光器件台面刻蚀方法，包括以下步骤，首先在衬底上外延生长缓冲层，并刻蚀缓冲层得到图形化缓冲层衬底，在所述图形化缓冲层衬底上外延生长具有横向极性结构的发光器件外延层，所述横向极性结构包括氮极性畴与金属极性畴；然后采用湿法刻蚀工艺利用氮极性畴与金属极性畴在刻蚀液中表现出的惰性差异对非惰性极性畴进行刻蚀；本发明可获得无等离子体损伤的器件台面；提升III族氮化物发光器件转换效率，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 半导体 发光 器件 台面 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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