[发明专利]碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件有效
| 申请号： | 201811517728.6 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111192821B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件。其制造方法包括以下步骤：提供具有碳化硅外延层的衬底；自碳化硅外延层表面向远离碳化硅外延层的方向上，沉积形成层叠叠设的若干层介质薄膜；对介质薄膜进行多次刻蚀处理，使各介质薄膜具有不同边界；在介质薄膜表面形成便于进行P型杂质注入的硬掩膜图案；对碳化硅外延层表面进行P型杂质注入处理，获得具有不同深度和浓度分布的P型杂质；去除碳化硅外延层表面的硬掩膜和具有不同边界的介质薄膜，得到碳化硅功率器件结终端结构。由此制造方法实现对碳化硅外延层进行不同浓度和深度的P注入，从而获得结终端区域电场分布可控的碳化硅功率器件结终端结构。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 器件 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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