[发明专利]碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件

权利要求书

1.一种碳化硅功率器件结终端结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01.提供具有碳化硅外延层的衬底；

步骤S02.在所述碳化硅外延层表面且自所述碳化硅外延层表面向远离所述碳化硅外延层的方向上，依次沉积形成层叠叠设的第一介质薄膜、第二介质薄膜、第三介质薄膜、第四介质薄膜和第五介质薄膜的五层介质薄膜，且第一介质薄膜、第三介质薄膜、第五介质薄膜的材料均为二氧化硅层，第二介质薄膜、第四介质薄膜的材料均为氮化硅层；所述二氧化硅层的厚度为0.3μm~3μm；所述氮化硅层的厚度为200埃~2000埃；

步骤S03.分别对各个所述介质薄膜进行刻蚀处理，使各介质薄膜具有不同的边界；

步骤S04.采用光刻胶的涂布曝光显影工艺对具有不同边界的所述五层介质薄膜进行处理，获得便于进行P型杂质注入的硬掩膜图案；所述P型杂质注入为在400℃~500℃进行铝离子的注入，注入能量为200kev~2000kev，剂量为1E10~1E16；

步骤S05.对所述碳化硅外延层表面进行P型杂质注入处理，获得具有不同深度和浓度分布的P型杂质；

步骤S06.去除所述碳化硅外延层表面的硬掩膜和具有不同边界的五层介质薄膜，得到碳化硅功率器件结终端结构。

2.如权利要求1所述的碳化硅功率器件结终端结构的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅层采用氟化铵饱和溶液进行刻蚀处理；所述氮化硅层采用等离子体干法刻蚀处理。

3.如权利要求2所述的碳化硅功率器件结终端结构的制造方法，其特征在于，经氟化铵饱和溶液刻蚀后的所述二氧化硅层具有倾斜斜面。

4.如权利要求1所述的碳化硅功率器件结终端结构的制造方法，其特征在于，还包括对获得的碳化硅功率器件结终端结构进行退火激活处理。

5.如权利要求4所述的碳化硅功率器件结终端结构的制造方法，其特征在于，所述退火激活处理包括以下步骤：对碳化硅外延层表面进行光刻胶涂布，涂布的厚度为0.5μm~5μm，并在惰性气氛中120~180℃烘烤60~120min，升温至1400~1900℃并保温10s~6000s，最后在氧气气氛中700~1200℃烘烤去除所述碳化硅外延层表面的碳。