[发明专利]显示装置在审

专利信息
申请号: 201811513967.4 申请日: 2013-11-28
公开(公告)号: CN109449170A 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 山崎舜平;木村肇;三宅博之;小山润 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/02;H01L29/786;H01L21/336;G02F1/136
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金春实
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够提高可靠性的新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置,包括:设置在第一布线与第二布线之间的绝缘层,其中,绝缘层包括第一绝缘层以及以与第一绝缘层重叠的方式设置的第二绝缘层,绝缘层包括第二绝缘层的一部分被去除的区域,并且,该区域用作保护电路。另外,本发明的一个方式是一种显示装置,其中在绝缘层与晶体管所具有的半导体层重叠的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层。另外,本发明的一个方式是一种显示装置,其中在将第一布线与第二布线直接连接的区域中包括第一绝缘层及第二绝缘层被去除的区域。
搜索关键词: 绝缘层 显示装置 布线 去除 半导体层 方式设置 晶体管 电路
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置包括像素部和保护电路,所述像素部包括晶体管和EL元件,所述晶体管包括第一氧化物半导体层,所述保护电路包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、第二氧化物半导体层以及与所述第二氧化物半导体层接触的绝缘层,所述第一氧化物半导体层包含铟、镓和锌,所述第二氧化物半导体层包含铟、镓和锌,所述绝缘层设置于所述第二氧化物半导体层之上以及所述第三导电层之上,所述第一导电层和所述第二导电层相离开地设置于所述绝缘层之上,所述第一导电层在所述绝缘层的第一开口部中与所述第二氧化物半导体层接触,所述第二导电层在所述绝缘层的第二开口部中与所述第二氧化物半导体层接触,所述第二导电层在所述绝缘层的第三开口部中与所述第三导电层接触,所述第三导电层不与所述第二氧化物半导体层重叠。
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