[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 201811513967.4 | 申请日： | 2013-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109449170A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;木村肇;三宅博之;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/02;H01L29/786;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 显示装置 布线 去除 半导体层 方式设置 晶体管 电路 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置包括像素部和保护电路，
所述像素部包括晶体管和EL元件，
所述晶体管包括第一氧化物半导体层，
所述保护电路包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、第二氧化物半导体层以及与所述第二氧化物半导体层接触的绝缘层，
所述第一氧化物半导体层包含铟、镓和锌，
所述第二氧化物半导体层包含铟、镓和锌，
所述绝缘层设置于所述第二氧化物半导体层之上以及所述第三导电层之上，
所述第一导电层和所述第二导电层相离开地设置于所述绝缘层之上，
所述第一导电层在所述绝缘层的第一开口部中与所述第二氧化物半导体层接触，
所述第二导电层在所述绝缘层的第二开口部中与所述第二氧化物半导体层接触，
所述第二导电层在所述绝缘层的第三开口部中与所述第三导电层接触，
所述第三导电层不与所述第二氧化物半导体层重叠。
2.一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置包括像素部和保护电路，
所述像素部包括第一晶体管和EL元件，
所述第一晶体管包括第一氧化物半导体层，
所述保护电路包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、第二氧化物半导体层以及与所述第二氧化物半导体层接触的绝缘层，
所述第一氧化物半导体层包含铟、镓和锌，
所述第二氧化物半导体层包含铟、镓和锌，
所述绝缘层设置于所述第二氧化物半导体层之上以及所述第三导电层之上，
所述第一导电层和所述第二导电层相离开地设置于所述绝缘层之上，
所述第一导电层在所述绝缘层的第一开口部中与所述第二氧化物半导体层接触，
所述第二导电层在所述绝缘层的第二开口部中与所述第二氧化物半导体层接触，
所述第二导电层在所述绝缘层的第三开口部中与所述第三导电层接触，
所述第三导电层不与所述第二氧化物半导体层重叠，
在所述保护电路中没有设置晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
