[发明专利]外延生长装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201811509469.2 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111304740A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王力;金柱炫 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/16;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延生长装置及其制作方法，属于半导体技术领域。外延生长装置，包括：第一石英钟罩和漏斗形的第二石英钟罩，第一石英钟罩和第二石英钟罩组成反应腔室，在反应腔室内部设置有放置硅晶圆的基座和用于支撑基座的基座支撑架，在反应腔室外部设置有提供反应能量的加热灯泡，加热灯泡包括位于基座靠近第一石英钟罩一侧的第一加热灯泡和位于基座靠近第二石英钟罩一侧的第二加热灯泡，外延生长装置还包括：位于反应腔室内、设置于第二加热灯泡与基座之间的光路控制结构，光路控制结构能够将第二加热灯泡发出、经第二石英钟罩的漏斗面入射反应腔室的部分光线折射至远离硅晶圆中心的区域。本发明能够提高外延薄膜的成膜均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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