[发明专利]一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路

摘要

本发明公开了一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，包括：PWM控制电路、驱动信号放大电路、开通电路、关断电路、栅极增流电路和电压变化率控制电路；本发明通过设置栅极增流电路，在SiC MOSFET开通过程中增大驱动电流，加快SiC MOSFET栅源电压的上升速度，从而提高了SiC MOSFET的开通速度；同时设置电压变化率控制电路，增加SiC MOSFET漏级与栅极之间的密勒电容，降低SiC MOSFET漏源电压变化率，从而减小了SiC MOSFET开通时的电流尖峰；在SiC MOSFET漏源电压不再变化后关断电压控制开关，避免串扰现象导致SiC MOSFET误导通，从而保证了SiC MOSFET的工作安全。

主权项

1.一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，其特征在于，包括：PWM控制电路、驱动信号放大电路、开通电路、关断电路、栅极增流电路和电压变化率控制电路；所述PWM控制电路的输出端与所述驱动信号放大电路的输入端连接，用于控制所述驱动信号放大电路输出正驱动电压和负驱动电压；所述开通电路的输入端与所述驱动信号放大电路的的输出端连接，输出端与SiC MOSFET的栅极连接，用于向SiC MOSFET输入驱动电流；所述关断电路的输出端与所述驱动信号放大电路的的输出端连接，输入端与SiC MOSFET的栅极连接，用于对导通的SiC MOSFET进行关断；所述栅极增流电路的控制端与所述驱动信号放大电路的的输出端连接，输出端与SiC MOSFET的栅极连接，用于在SiC MOSFET开通过程中输出电流并与所述驱动电流叠加，驱动SiC MOSFET开通；所述电压变化率控制环节的控制端与所述驱动信号放大电路的的输出端连接，输出端与SiC MOSFET的栅极连接，用于增大SiC MOSFET漏级与栅极之间的密勒电容。