[发明专利]一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路

权利要求书

1.一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，其特征在于，包括：PWM控制电路、驱动信号放大电路、开通电路、关断电路、栅极增流电路和电压变化率控制电路；

所述PWM控制电路的输出端与所述驱动信号放大电路的输入端连接，用于控制所述驱动信号放大电路输出正驱动电压和负驱动电压；

所述开通电路的输入端与所述驱动信号放大电路的的输出端连接，输出端与SiCMOSFET的栅极连接，用于向SiC MOSFET输入驱动电流；

所述关断电路的输出端与所述驱动信号放大电路的的输出端连接，输入端与SiCMOSFET的栅极连接，用于对导通的SiC MOSFET进行关断；

所述栅极增流电路的控制端与所述驱动信号放大电路的的输出端连接，输出端与SiCMOSFET的栅极连接，用于在SiC MOSFET开通过程中输出电流并与所述驱动电流叠加，驱动SiC MOSFET开通；

所述电压变化率控制环节的控制端与所述驱动信号放大电路的的输出端连接，输出端与SiC MOSFET的栅极连接，用于在SiC MOSFET开通过程中，从SiC MOSFET漏源电压开始下降时到漏源电压到达0.5Vdc阶段，增大SiC MOSFET漏级与栅极之间的密勒电容，降低SiCMOSFET漏源电压的下降速率，减小SiC MOSFET开通时的电流尖峰；其中，Vdc为加载在SiCMOSFET漏极上的直流电压。

2.如权利要求1所述的一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，其特征在于，所述栅极增流电路包括：增流电压源、增流开关和限流电阻；

所述增流开关的输入端与所述增流电压源的输出端连接，控制端与所述驱动信号放大电路的输出端连接，输出端通过所述限流电阻与SiC MOSFET的栅极连接。

3.如权利要求1或2所述的一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，其特征在于，所述电压变化率控制电路包括：电压控制开关和电压控制电容；

所述电压控制开关的输入端与SiC MOSFET的漏级连接，控制端与所述驱动信号放大电路的输出端连接，输出端通过所述电压控制电容与SiC MOSFET的栅极连接。

4.如权利要求1所述的一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，其特征在于，所述开通电路包括：开通二极管和开通电阻；

所述开通二极管的正极与所述驱动信号放大电路的输出端连接，负极通过所述开通电阻与SiC MOSFET的栅极连接。

5.如权利要求1所述的一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，其特征在于，所述关断电路包括：关断二极管和关断电阻；

所述关断二极管的负极与所述驱动信号放大电路的输出端连接，正极通过所述关断电阻与SiC MOSFET的栅极连接。

6.如权利要求1所述的一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，其特征在于，所述正驱动电压为18V～20V，所述负驱动电压为-4V～-5V。