[发明专利]一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法在审
申请号: | 201811470643.7 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN109638120A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 仇凯弘 | 申请(专利权)人: | 福建中晶科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/46 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 364000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法,包括以下步骤:S1:以正常工艺完成芯片前段制作,直至研磨前,包括在蓝宝石衬底上以MOCVD生长外延层和芯片前段各工序,直至晶圆制作完成;S2:研磨减薄蓝宝石衬底,直至较厚的厚度,mini LED的蓝宝石厚度为80‑140μm;S3:在蓝宝石表面沉积DBR光学薄膜,DBR光学薄膜由SiO2和TiO2多层堆积而成;S4:利用多重激光隐形切割对蓝宝石进行切割处理。本发明通过合理设计芯片工艺,减少芯片正面的出光,增加芯片侧面的出光,从而达到增加Mini LED的出光角度的目的,制作工艺易行,成本低,良率高。 | ||
搜索关键词: | 蓝宝石 光学薄膜 研磨 出光角 制作 衬底 芯片 蓝宝石表面 芯片侧面 芯片工艺 芯片正面 隐形切割 正常工艺 制作工艺 外延层 沉积 多层 减薄 晶圆 良率 堆积 切割 激光 | ||
【主权项】:
1.一种用于LCD背光的大出光角Mini LED芯片制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:以正常工艺完成芯片前段制作,直至研磨前,包括在蓝宝石衬底上以MOCVD生长外延层和芯片前段各工序,直至晶圆制作完成;S2:研磨减薄蓝宝石衬底,直至较厚的厚度,mini LED的蓝宝石厚度为80‑140μm;S3:在蓝宝石表面沉积DBR光学薄膜,DBR光学薄膜由SiO2和TiO2多层堆积而成;S4:利用多重激光隐形切割对蓝宝石进行切割处理;S5:最后将蓝宝石裂开,完成芯片的制作。
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